鋁基板介電常數(shù)
鋁基板介電常數(shù)是一種鋁基板專(zhuān)用檢測(cè)方法，是通過(guò)介電常數(shù)及介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)量，為變Q值串聯(lián)諧振法，將試樣與調(diào)諧電容串聯(lián)接入高頻電路，測(cè)量串聯(lián)回路的Q值的原理。
鋁基板性能方面包括剝離強(qiáng)度、表面電阻率、最小擊穿電壓、介電常數(shù)、燃燒性和熱阻等要求。
近年來(lái)，半導(dǎo)體工業(yè)界對(duì)低介電常數(shù)材料的研究日益增多，材料的種類(lèi)也是五花八門(mén)。然而這些低介電常數(shù)材料能夠在鋁基板集成電路生產(chǎn)工藝中應(yīng)用的速度卻遠(yuǎn)沒(méi)有人們想象的那么快。其主要原因是許多低介電常數(shù)材料并不能滿(mǎn)足鋁基板集成電路工藝應(yīng)用的要求。
而造成人們的預(yù)計(jì)與現(xiàn)實(shí)如此大差異的原因是，在鋁基板集成電路工藝中，低介電常數(shù)材料必須滿(mǎn)足諸多條件，例如：足夠的機(jī)械強(qiáng)度（MECHANICAL strength）以支撐多層連線(xiàn)的架構(gòu)、高楊氏系數(shù)（Young's modulus）、高擊穿電壓（breakdown voltage>4MV/cm）、低漏電（leakage current<10-9 at 1MV/cm）、高熱穩(wěn)定性（thermal stability >450oC）、良好的粘合強(qiáng)度（adhesion strength）、低吸水性（low moisture uptake）、低薄膜應(yīng)力（low film stress）、高平坦化能力（planarization）、低熱漲系數(shù)（coefficient of thermal expansion）以及與化學(xué)機(jī)械拋光工藝的兼容性（compatibility with CMP process）等等。
能夠滿(mǎn)足上述特性的低介電常數(shù)材料并不容易獲得。例如，薄膜的介電常數(shù)與熱傳導(dǎo)系數(shù)往往就呈反比關(guān)系。因此，低介電常數(shù)材料本身的特性就直接影響到工藝集成的難易度。
鋁基板性能方面包括剝離強(qiáng)度、表面電阻率、最小擊穿電壓、介電常數(shù)、燃燒性和熱阻等要求。
而造成人們的預(yù)計(jì)與現(xiàn)實(shí)如此大差異的原因是，在鋁基板集成電路工藝中，低介電常數(shù)材料必須滿(mǎn)足諸多條件，例如：足夠的機(jī)械強(qiáng)度（MECHANICAL strength）以支撐多層連線(xiàn)的架構(gòu)、高楊氏系數(shù)（Young's modulus）、高擊穿電壓（breakdown voltage>4MV/cm）、低漏電（leakage current<10-9 at 1MV/cm）、高熱穩(wěn)定性（thermal stability >450oC）、良好的粘合強(qiáng)度（adhesion strength）、低吸水性（low moisture uptake）、低薄膜應(yīng)力（low film stress）、高平坦化能力（planarization）、低熱漲系數(shù)（coefficient of thermal expansion）以及與化學(xué)機(jī)械拋光工藝的兼容性（compatibility with CMP process）等等。
能夠滿(mǎn)足上述特性的低介電常數(shù)材料并不容易獲得。例如，薄膜的介電常數(shù)與熱傳導(dǎo)系數(shù)往往就呈反比關(guān)系。因此，低介電常數(shù)材料本身的特性就直接影響到工藝集成的難易度。
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